概述

      半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應(yīng)管等。直流I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ)，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。

      分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個工藝流程結(jié)束后評估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個階段都有應(yīng)用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測試等。

      英鉑科學(xué)儀器的半導(dǎo)體分立器件I-V特性測試方案，由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、夾具或探針臺、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET器件為例，配套以下設(shè)備：

•兩臺Keithley 2450 精密源測量單元

•四根三同軸電纜

•夾具或帶有三同軸接口的探針臺

•三同軸T型頭

方案特點(diǎn)

豐富的內(nèi)置元器件庫，可以根據(jù)測試要求選擇所需要的待測件類型測試和計(jì)算過程由軟件自動執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線， 節(jié)省了大量的時間精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺，針座分辨率可高達(dá)0.7um，顯微鏡放大倍數(shù)可高達(dá)x195倍，支持同時操作兩臺吉時利源表，可以完成三端口器件測試。

測試材料

二極管特性的測量與分析

雙極型晶體管BJT特性的測量與分析

MOSFET場效應(yīng)晶體管特性的測量與分析

MOS 器件的參數(shù)提取