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測試能力：

1、可在掃描電鏡高真空環(huán)境下為樣品提供變溫環(huán)境

2、可增加試樣溫度傳感器

3、溫度范圍-190-200℃/RT-650℃

4、適配多品牌SEM定制樣品架，方便拆裝

測試能力：

1、針對材料研究過程中變溫電學測試

2、可表征材料升溫和降溫階段，其電學性能隨溫度變化的特征

3、液氮致冷、電阻加熱的方式

4、溫度范圍：-190~600°C范圍內(nèi)精準控制

5、可與顯微鏡、光譜儀、mems測振儀等可與電學儀表(如源表、萬用表、半導體參數(shù)分析儀等)搭配集成，在變溫條件下進行光電測試

測試能力：

1、支持在2寸內(nèi)樣品的研究過程中進行變溫電學測試

2、XYZ軸行程：±6mm

3、液氮致冷、電阻加熱的方式

4、溫度范圍：-190~400°C范圍內(nèi)精準控制

5、可集成電學測試儀表，分析不同溫度下電學特性

測試能力：

1、支持 CDM模型的 Package Level 測試；

2、放電電壓：CDM：4KV；

3、支持多種封裝形式及小型器件

測試能力：

1、支持 HBM 及 MM 的 Package Level測試

2、放電電壓：HBM：8KV；MM：4KV

3、可自制夾具，支持多種封裝測試

測試能力：

1、支持 wafer level，package level， component level 測試

2、支持搭配自動探針臺實現(xiàn)自動測試

測試能力：

1、支持HBM及MM的Package Level測試；

2、放電電壓：HBM：8KV   MM：4KV；

3、可自制夾具，支持多種封裝測試

測試能力

1、200V 1A IV 特性測試，適用于二極管 Diode，電阻Resistor，三極管 BJT， MOSFET 等測試

2、10KHz to 10MHz CV 測試

測試能力

1、3KV 20A（pulse）IV 特性測試，適用于低功率以及高功率二極管 Diode， 三極管 BJT，電阻 Resisrot

2、金屬氧化物半導體場效應晶體管 MOSFET，SiC & GaN MOSFET，Diode 測試

3、CV 測試：10KHz—5MHz

測試能力

1、100MHz—40GHz 四端口 S 參數(shù)測試

2、Z 參數(shù)以及 Y 參數(shù)測試

3、時域分析，特性阻抗以及差分阻抗測試

4、無線充電效能測試，包括有源低功率放大器，濾波器， 天線，衰減器，射頻開關等測試

測試能力

1、8 寸及以下晶圓級高壓測試

2、低漏電器件材料表征測試，光電器件表征

3、可與各類儀表搭配，進行半自動測試，如IV 測試，雙端口RF 器件測試等

測試能力

1、8寸及以下晶圓級高低溫高頻測試

2、低漏電器件材料測試，光電器件表征

測試能力

1、6寸及以下晶圓級半自動IV測試

2、單顆die移動速度250ms

測試能力

1、0.1fA靈敏度，30fA精度，直流1A，脈沖3A，脈寬50us，電壓200V

2、適用于IV測試

測試能力

1、低溫真空探針臺可以對器件進行非破壞性的測試，器件最大尺寸可達到51mm(2inch)

2、它可以對材料或器件的電學特性測量、光電特性測量、參數(shù)測量、high Z測量、DC測量等提供一個測試平臺

3、配置射頻支臂可在極低溫下進行高頻測試

測試能力

6寸及以下晶圓級半自動IV測試