今天向大家介紹一個組合，MPI探針臺+泰克半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，兩者經(jīng)常搭配使用，可用于晶圓級別可靠性，低漏電IV/CV直流器件，脈沖IV器件測試等多種測試，搭建晶圓級超低漏電器件陣列測試系統(tǒng)，滿足您的測試需求。此篇文章以MPI TS2000-SE探針臺+泰克4200-SCS為例，介紹該組合的配置和功能。

MPI TS2000-SE 探針臺

產(chǎn)品介紹：

MPI的TS2000-SE/8寸半自動探針臺是具有創(chuàng)新功能的200mm自動化晶圓測試系統(tǒng)，其包含獨特的側(cè)面自動裝卸功能和超高屏蔽下的超低噪聲環(huán)境。

產(chǎn)品配置：

MPI的TS2000-SE/8寸半自動探針臺發(fā)布新功能，側(cè)面帶有VCE，可完美解放您的雙手，實現(xiàn)精準定位，完成自動扎針，使測試過程更加方便快捷。

產(chǎn)品優(yōu)勢：

1、ShielDEnvironment

MPI ShielDEnvironment是一個高性能的微屏蔽暗箱，可為超低噪聲，低電容測量提供出色的EMI和不透光的屏蔽測試環(huán)境

2、自動化晶圓裝載系統(tǒng)

該功能提供了非常方便的晶圓裝載，并且易于針對自動程序進行預(yù)對準，可支持100mm、150mm、200mm等不同尺寸的晶圓，針對高低溫環(huán)境下可提高測試效率

3、ERS獨特的 AC3冷卻技術(shù)

MPI旗下全系列探針臺系統(tǒng)均采用ERS的AC3冷卻技術(shù)和自我管理系統(tǒng)，可使用回收的冷卻空氣吹掃MPI ShielDEnvironment，可大幅減少30%至50%的空氣消耗

4、側(cè)視影像系統(tǒng)(VCE)

借助MPI8寸探針臺獨特的自動側(cè)視– VCE影像系統(tǒng)可視化的觀察探針針尖與樣品之間的接觸，使用DC或RF等探針卡非常安全

產(chǎn)品應(yīng)用：

1、模塊量測 - DC-IV / DC-CV / Pulse-IV

2、射頻和毫米波 - 26 GHz 至 110 GHz 及以上

3、失效分析 - 探針卡 / 節(jié)間探測

4、可靠性測試 - 熱/ 冷 / 長時間測試

5、高功率測試 - 至高 10 kV / 600 A

6、MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽環(huán)境，專為 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所設(shè)計的精密量測環(huán)境

7、支持飛安級低漏電值量測

8、支持溫度范圍 -60 °C 至 300 °C

泰克4200-SCS參數(shù)分析儀

產(chǎn)品介紹：

4200A-SCS是一種可以量身定制、全面集成的參數(shù)分析儀，可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V)和超快速脈沖式I-V特性。作為性能較高的參數(shù)分析儀，4200A-SCS加快了半導(dǎo)體、材料和工藝開發(fā)速度。

產(chǎn)品配置：

●± 210 V/100 mA或± 210 V/1 A模塊

●100 fA測量分辨率

●選配前端放大器提供了10 aA測量分辨率

●10 mHz - 10 Hz超低頻率電容測量

●四象限操作

●2線或4線連接

C-V多頻率電容單元(CVU)

●AC阻抗測量(C-V, C-f, C-t)

●1 kHz - 10 MHz頻率范圍

●± 30 V (60 V差分)內(nèi)置DC偏置源，可以擴展到± 210 V(420 V差分)

脈沖式I-V超快速脈沖測量單元(PMU)

●兩個獨立的或同步的高速脈沖I-V源和測量通道

●200 MSa/s，5 ns采樣率

●±40 V (80 V p-p)，±800 mA

●瞬態(tài)波形捕獲模式

●任意波形發(fā)生器，支持多電平脈沖波形，10ns可編程分辨率

產(chǎn)品優(yōu)勢：

1、隨時可以投入使用、可修改應(yīng)用測試、項目和器件，縮短測試開發(fā)時間

2、內(nèi)置測量視頻的儀器，分為4種語言，縮短學(xué)習(xí)周期

3、pin to pad接觸檢查，確保測量可靠

4、多種測量功能，數(shù)據(jù)顯示、分析和代數(shù)運算功能

5、實時結(jié)果和參數(shù)，自動數(shù)據(jù)顯示、算法分析和實時參數(shù)提取功能，無需示波器檢驗脈沖測量，脈沖定時預(yù)覽模式可查看脈沖定時參數(shù)

產(chǎn)品應(yīng)用：

MOSFET, BJT 晶體管；材料特性分析；非易失性存儲設(shè)備；電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；納米器件；二極管和 pn 聯(lián)結(jié)；太陽能電池；傳感器；MEMS器件；電化學(xué)；LED和OLED等。