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新聞活動(dòng)

霍爾效應(yīng)測試探針臺(tái)系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢及適用范圍返回列表

霍爾效應(yīng)測試產(chǎn)品有:振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) VSM、霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)HEMS、霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)EzHEMS霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)HEMS適用范圍: GaAS based

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霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)HEMS適用范圍: GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 紅外應(yīng)用(LED, laser diodes, detectors), 金屬氧化物, 有機(jī)材料, 無機(jī)材料, 鐵氧體等。

霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)EzHEMS

•電阻率測量范圍:10-4-109?·cm(取決于樣本)

•遷移率:1-107cm2/V·S(取決于樣本)

•載流子濃度: 107 -1021 per cm3 (取決于樣本)

•電流源:±2nAto±20mA,±12Vcompliance

振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)VSM

VSM Measurement Parameters

• 振動(dòng)頭振動(dòng)頻率(校準(zhǔn)):1-100Hz

• VSM振蕩幅度范圍:0.1mm-5mm

• 最大樣品直徑:6mm

• 適用于液體、粉末、塊狀樣品測試

 

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