失效分析測試設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】

失效分析測試設(shè)備涉及一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

失效分析測試設(shè)備【背景技術(shù)】

—般來說，集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免，隨著人們對產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設(shè)計人員找到設(shè)計上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計與操作中的不當?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說，失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面:失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析為設(shè)計工程師不斷改進或者修復(fù)芯片的設(shè)計，使之與設(shè)計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補充，為驗證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。失效分析主要步驟和內(nèi)容芯片開封:去除1C封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持die，bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準備。SEM掃描電鏡/EDX成分分析:包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。探針測試:以微探針快捷方便地獲取1C內(nèi)部電信號。鐳射切割:以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。

在提高產(chǎn)品良率的過程中，產(chǎn)品工程師需要對問題產(chǎn)品進行電性及物理失效分析，從而對產(chǎn)品進行診斷。通過電性失效分析，往往可以找出缺陷在版圖上的位置，為明確缺陷的具體情況，需要進行物理失效分析，主要包括剝層、聚焦離子束、掃描電子顯微鏡(TEM)、VC定位技術(shù)和缺陷化學(xué)成分分析。電性失效分析是物理失效分析的前提，物理失效分析結(jié)果是電性失效分析的目的和佐證。在失效分析中，各個步驟工作配合應(yīng)用，缺一不可。

為了確定物理失效分析和電性失效分析，需要對芯片的各個引腳進行連接測試，而在檢測行業(yè)中，往往會遇到各種尺寸和封裝類型的芯片，每種芯片在測試之前需要制作夾具，這是一項相當繁瑣的工作，因此有必要研發(fā)出一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

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