近期于 IEEE MTT-S 2024 上，MPI 與 Maury Microwave 共同展示了通過(guò)預(yù)射頻脈沖 IV 測(cè)量來(lái)徹底變革晶體管緊湊建模。

這是 AMCAD Engineering 和 Maury Microwave 在 MPI的TS200探針臺(tái)上所進(jìn)行的演示，即使用Nano5G調(diào)諧器與AMCAD 的脈沖IV系統(tǒng)AM3200 集成的晶圓測(cè)量。所有設(shè)備都將借助 #IVCAD 軟件進(jìn)行控制，以此來(lái)優(yōu)化產(chǎn)品性能與用戶的體驗(yàn)。

以預(yù)射頻脈沖 IV 測(cè)量徹底革新晶體管建模：
此項(xiàng)尖端技術(shù)把可變前射頻脈沖與脈沖 IV 測(cè)量加以結(jié)合，由 AMCAD 的高功率 Pulsed-IV 脈沖發(fā)生器以及 Maury Microwave 的毫米波 #Nano5G 調(diào)諧器提供動(dòng)力支持。該方法能夠精確控制輸入和輸出阻抗，實(shí)現(xiàn)電荷捕獲狀態(tài)的動(dòng)態(tài)演變，并且在大信號(hào)操作期間更為準(zhǔn)確地描述晶體管的行為。

這項(xiàng)創(chuàng)新的主要優(yōu)勢(shì)：
精確的晶體管表征：雙脈沖測(cè)量技術(shù)通過(guò)提供參數(shù)電流源，動(dòng)態(tài)考慮高功率負(fù)載牽引工作條件下的捕獲效應(yīng)，從而加快了 GaN 晶體管緊湊模型的提取速度。
數(shù)據(jù)完整性：基于 VNA 的負(fù)載牽引系統(tǒng)可確保小信號(hào)和大信號(hào)數(shù)據(jù)之間實(shí)現(xiàn)無(wú)縫對(duì)齊，這對(duì)于高效提取模型而言至關(guān)重要。