MPI TS2000-HP探針臺(tái)

產(chǎn)品介紹：

MPI的TS2000-HP半自動(dòng)化探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)可提供8英寸及以下晶圓器件的高功率測(cè)量，先進(jìn)的ShielDEnvironment™可提供低噪聲和屏蔽的測(cè)試環(huán)境。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

• 適合至高 10kV / 600A (脈沖)的晶圓級(jí)高功率組件量測(cè)

• 提供載片下的高功率動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試

• 晶圓載物臺(tái)表面鍍金，接觸電阻面積小;真空吸孔優(yōu)化，適合裝載至薄 50 µm 的薄晶圓

• 可選配搭載 Taiko 晶圓載物臺(tái)

• 提供抗電弧解決方案

• MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽環(huán)境

• 專為 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所設(shè)計(jì)的精密量測(cè)環(huán)境

• 支援飛安級(jí)低漏電值量測(cè)

• 溫度量測(cè)范圍 -60 °C to 300 °C

產(chǎn)品應(yīng)用：

可用于多種晶圓量測(cè)應(yīng)用，晶圓級(jí)可靠性測(cè)試、高功率動(dòng)&靜態(tài)測(cè)試以及RF和mmW等多種應(yīng)用。

Keysight B1505A功率分析儀

產(chǎn)品介紹：

B1505A 可以應(yīng)對(duì)當(dāng)今尖端功率器件帶來(lái)的測(cè)量挑戰(zhàn)，能夠精確測(cè)量和表征亞皮安至高達(dá)10 kV 和1500 安的綜合解決方案: 支持3000 V 直流偏置條件下的柵極電荷與電容測(cè)量，以及-50°C 至+250°C 的溫度測(cè)試。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

1、寬工作范圍與精密測(cè)量的組合

•適合功率器件表征的綜合解決方案，高達(dá)1500A/10kV

• 高電壓偏置條件下的中電流測(cè)量(例如，1200V時(shí)的500mA測(cè)量)

• μΩ電阻測(cè)量能力

• 高電壓偏置時(shí)精確的亞皮安級(jí)電流測(cè)量

• -50°C至+250°C范圍安全、精確且快速的全自動(dòng)溫度測(cè)試

2、廣泛的器件測(cè)量功能

• 高達(dá)3000V直流偏置條件下的全自動(dòng)電容測(cè)量(Ciss、Coss、Crss等)

• 低至10us的大功率脈沖測(cè)量

• 封裝器件和晶圓上IGBT/FET柵極電荷測(cè)量

• 高電壓/大電流快速切換選件，適用于GaN電流崩塌效應(yīng)表征

• 多達(dá)5個(gè)高電壓(3kV)源/測(cè)量通道，可以最大限度地保證靈活性

• 借助支持互鎖的測(cè)試夾具保證溫度相關(guān)測(cè)試的安全性

3、改進(jìn)的測(cè)量效率

• 無(wú)需重新布線即可切換高電壓和大電流測(cè)量

• 自動(dòng)測(cè)試封裝和晶圓上器件晶體管連接電容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds等)電路構(gòu)造

• 支持互鎖的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試夾具可以確保封裝功率器件測(cè)試的安全性

• 支持高達(dá)200A和10kV的大功率晶圓上安全測(cè)試

• 示波器視圖支持對(duì)應(yīng)用電壓和電流波形的驗(yàn)證

• MS Windows EasyEXPERT軟件可以簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)管理和數(shù)據(jù)分析流程

4、可升級(jí)和可擴(kuò)展的硬件體系結(jié)構(gòu)

• 豐富的測(cè)量模塊選擇

• 支持具有多達(dá)6引腳的大功率器件

產(chǎn)品應(yīng)用：

B1505A 支持N1259A 和N1265A 兩個(gè)不同電壓和電流范圍的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試解決方案。兩款解決方案都可以兼容不同類型的插座。B1505A 還支持功率器件晶圓上測(cè)試，無(wú)需器件封裝，可以顯著縮減實(shí)驗(yàn)室測(cè)試的周轉(zhuǎn)時(shí)間(TAT)。